「Flash Memory Summit」で紹介されたペタバイトメモリ、20倍速のSSD技術
2002年以来世界1位…今年第1四半期の市場シェア35.5%で1位を維持

2002 年から 20 年連続で NAND フラッシュの世界首位を維持しているサムスン電子は、多くの次世代 NAND フラッシュ技術を導入しています。

世界最大規模のカンファレンス「Flash Memory Summit 2022」で、サムスン電子メモリ事業部ソリューション開発部副社長のチェ・ジンヒョクが「ビッグデータ時代のメモリ革新」について基調講演を行いました。 2日（現地時間）アメリカ・カリフォルニア州サンタクララ・コンベンションセンターで開催されたフラッシュメモリーズ

崔副社長は、人工知能(AI)、メタバース、モノのインターネットなどの技術発展による最近のデータの爆発的な増加に対応して、サムスン電子が開発した次世代メモリソリューションを紹介した。

まず、Samsung Electronics はグローバル企業と協力して大容量 SSD (Solid State Drives / Auxiliary Storage) を開発しており、これにより、ストレージを大幅に増加させる “ペタバイト” (1,000 兆バイト) のストレージ システムを実装することができます。容量

ペタバイトストレージは、最小限のサーバー台数で大容量のデータを処理でき、サーバーを効率的に運用することで消費電力を最小限に抑えることができるというメリットがあります。

Samsung Electronics は、次世代の「Compute Express Link (CXL)」メモリ インターフェイスを適用する「メモリ セマンティック SSD」技術も開発していると述べました。

CXLインターフェースを備えたセマンティックメモリSSDは、人工知能と機械学習の分野で一般的なSSDに比べてランダム読み取り速度と応答速度を最大20倍向上させることができるとサムスン電子は指摘した。

また、サムスン電子は、業界で初めて開発した次世代メモリ半導体規格「UFS 4.0」メモリを今月から量産する計画を明らかにした。

Samsung Electronics の UFS 4.0 メモリは、高解像度のコンテンツや大容量のモバイル ゲームなど、高速で大容量の処理を必要とする主力のスマートフォンに最初に適用され、モビリティ、仮想現実 (VR) などの消費者向けデバイスに適用されるべきです。これからの拡張現実（AR）。 .

崔副社長は、「データの爆発的な増加は、メモリ業界にとって大きな課題です。私たちがリードします」と述べました。

サムスン電子は、2002 年に NAND フラッシュ市場で 1 位にランクされ、昨年まで 20 年連続で世界市場シェアで 1 位の座を維持しました。

グローバル市場調査会社オムディアによると、今年第1四半期のサムスン電子のNANDフラッシュ売上高は63億3400万ドル(約8兆3100億ウォン)で、シェアは35.5%で、前四半期より2.3ポイント上昇した。 . と一緒に置く

2 位は日本の半導体企業 Kioxia (19.0%)、3 位は SK Hynix (18.1%) でした。

/ ユンハプニュース