昨年10月25日(現地時間)、米国ジョージア州ブライアン郡で開かれた現代自動車グループのメタプラント・アメリカ起工式でチョン・ウィソン現代自動車グループ社長らが最初のシャベルを掘っている。 [사진=연합뉴스]
欧州連合(EU)、日本、韓国などの同盟国は、中国封じ込めを装い、自国の利益を最優先する米国に当惑を隠せない。 企業は米国市場を無視できないため、世界中の政府が米国に腹を立てている間、「泣いてマスタードを食べて」それに従います。
その中で、同盟国はインフレ削減法(IRA)とチップス・フォー・サイエンス法を懸念しています。 国内産業の振興のみを目的とする法案であると同時に、保護主義的な傾向から外資系企業が不利になることが予想される。
◆企業は世界中の米国政府のみに投資
各国の自動車メーカーは、米国中心のサプライ チェーンを再編成するために、米国および北米の他の地域に新しい工場を建設し始めています。 人件費が高いにもかかわらず、電気自動車1台あたり最大7500ドル(約1000万ウォン)の税額控除を無視できないからだ。 新工場の建設にかかる時間も考慮して継続すべき判断です。
企業は、工場のセットアップ期間を短縮し、迅速に大量生産することで IRA に対応しようとしています。 現代自動車グループとSKオンは先月8日、IRAを意識して2025年から工場建設とバッテリーの量産を加速すると発表した。
これに先立ち、現代自動車は昨年3月にアラバマ工場でEVラインを拡張し、昨年5月にジョージア州の新工場に投資する計画を正式に発表した。 2023年に量産開始予定だったアラバマ工場は昨年12月に、2025年に量産開始予定だったジョージア工場はIRA対応のため2024年に移管された。
日本とヨーロッパのグローバル自動車メーカーも、米国の EV に積極的に投資しています。 ホンダはまた、オハイオ州の 3 つの工場を電気自動車の生産ラインに変えるために 1,000 億円 (約 9,700 億ウォン) を投資しています。 このラインは2025年に操業を開始し、2026年に販売される予定です。ドイツの自動車メーカーBMWも、米国に17億ドル(約2兆1000億ウォン)を投資すると発表しました。
問題は、IRA が今年から実施されることです。 企業は積極的に投資を行っていますが、懸念事項である完成車の組み立てや鉱物に関しては、すぐに解決策を見つけることは困難です。 電気自動車 1 台あたり最大 7,500 米ドル (約 1,000 万ウォン) の税額控除を受けるには、「北米での組立」および「米国または政権諸国からのベース ミネラルの使用」に関する自由貿易協定 (FTA) の規制を遵守する必要があります。 )米国と」。
同盟国でさえ不利な状況にある現在、世界中の政府が米国政府に懸念を表明しています。 昨年11月、日本政府は米財務省に対し、IRAは「日本の自動車メーカーを北米市場で不利な立場に置いている」と述べ、「税額控除の要件は日米共通の政策と矛盾している。 ”
IRA と同様の自己救済措置の可能性についても議論されています。 欧州委員会のウルズラ・フォン・デア・ライエン委員長は、昨年12月14日に欧州議会の本会議に出席し、「バイ・アメリカ」の立場、さまざまな差別的減税、北米製品への補助金について言及しました。 「不当な競争を生み出すリスクがある」と彼は言った。 「欧州IRAで対応すべきだ」
地元のメディアも、欧州版の IRA を実施する可能性が高いと見ています。 ヨーロッパの編集チームは、「新しく設立されたヨーロッパの主権基金は、EUの産業とイノベーションプログラムを支援するために使用される可能性がある」と述べたが、「重要なのは、どれだけの資金が必要か、どのように追加の資金が調達されるか、そしてどのように対象となる助成金が支払われます。」 なるでしょう」と、細部にまで気を配りながら語った。
◆半導体は中国の規制で変動…今後規制が厳しくなる可能性あり
米中半導体紛争 [그래픽=이코노믹 데일리 DB]
半導体も米国のナショナリズムに苦しむ韓国の代表的な分野だ。 EV業界は、自動車メーカーがIRAを通じて自国に帰着することを要求しているが、半導体は露骨に中国を規制している。
昨年 8 月、米国のジョー・バイデン大統領は、「チップス フォー アメリカ法」の制定により、国内の半導体製造を支援するために約 390 億ドルを費やす計画を発表しました。 法律では、米国で半導体製造工場を建設すると、大規模な税額控除を受けることができます。 問題は、法律に「保護条項」が含まれていることです。 米国政府から補助金を受けている企業は、今後 10 年間、中国の工場のハイテク設備への投資を禁じられています。
また、昨年10月、米国商務省は、中国で半導体を製造する企業に対する輸出禁止を強化しました。 △18nm(ナノメートル/10億分の1メートル)以下の技術レベルの半導体を製造できる設備・技術の販売について、米国企業が別途認可を取得する必要がある措置である DRAM △128層以上のNAND中国向けのフラッシュ。 .
メモリー半導体の1位と2位のサムスン電子とSKハイニックスが直撃する見通しだ。 Samsung Electronics は中国の西安に工場を、SK Hynix は中国の無錫と大連に工場を運営しています。 しかし、昨年10月の米国商務省の特例措置により、同社への輸出は一時的に許可された。
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